操作與維護(hù):三坐標(biāo)測量機(jī)的使用技巧與維護(hù)建議
2024-06-14 使用技巧確保設(shè)備正常:在使用前,檢查三坐標(biāo)測量機(jī)的電源、控制系統(tǒng)和測頭等關(guān)鍵部件,確保設(shè)備處于正常工作狀態(tài)。工件安裝與固定:正確放置工件,并使用夾具或支撐物將其固定好,以防止在測量過程中發(fā)生移動(dòng)或晃動(dòng)。參數(shù)設(shè)置:根據(jù)待測工件的特點(diǎn)和測量要求,合理設(shè)置測量參數(shù),如測量方式、范圍和精度,確保測量結(jié)果的準(zhǔn)確性。測量操作:在測量過程中,保持測頭與工件表面的穩(wěn)定接觸,遵循設(shè)備界面上的操作提示,確保測量的穩(wěn)定性和準(zhǔn)確性。使用專用程序:對(duì)于經(jīng)常測量的項(xiàng)目,可以編制專用測量程序,提高測量效率...自動(dòng)化生產(chǎn)中的精密幾何量測量:三坐標(biāo)測量機(jī)的應(yīng)用
2024-06-13 工業(yè)4.0背景下,制造業(yè)對(duì)高效、精確測量的需求日益增加。特別對(duì)于自動(dòng)化生產(chǎn)線的高效運(yùn)行,依賴于對(duì)產(chǎn)品質(zhì)量的嚴(yán)格監(jiān)控。三坐標(biāo)測量機(jī)作為一種關(guān)鍵的精密測量設(shè)備,通過結(jié)合自動(dòng)化技術(shù)——全自動(dòng)化三坐標(biāo)測量站,實(shí)現(xiàn)了測量過程的全自動(dòng)化,節(jié)約了人力成本,大幅提高了測量效率,為現(xiàn)代制造業(yè)的精益生產(chǎn)和質(zhì)量控制提供重要保障。全自動(dòng)化三坐標(biāo)測量站通過自動(dòng)上下料、自動(dòng)測量、自動(dòng)分類以及測量統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)可視化,實(shí)現(xiàn)了測量過程的全自動(dòng)化,大幅提高測量效率,并節(jié)約人力成本。三坐標(biāo)測量機(jī)是測量站的核心設(shè)備。它...三坐標(biāo)測量機(jī)的“柔性”特點(diǎn)及其在工業(yè)中的應(yīng)用
2024-06-05 現(xiàn)代制造業(yè)中,三坐標(biāo)測量機(jī)(CMM)在產(chǎn)品開發(fā)、質(zhì)量控制和生產(chǎn)過程中發(fā)揮著重要作用。它通過高精度準(zhǔn)確測量工件的幾何尺寸和形狀,來保證產(chǎn)品質(zhì)量符合嚴(yán)格的技術(shù)規(guī)范。CMM高精度和高效率的特點(diǎn)使其成為自動(dòng)化生產(chǎn)線和質(zhì)量控制流程中的關(guān)鍵設(shè)備。隨著制造業(yè)對(duì)復(fù)雜零件和高精度要求的增加,三坐標(biāo)測量機(jī)“柔性”特點(diǎn)的優(yōu)勢在多種復(fù)雜測量任務(wù)中日益凸顯。柔性特點(diǎn)一:適應(yīng)多樣化測量任務(wù)得益于高精度的探頭系統(tǒng)和測量軟件,三坐標(biāo)測量機(jī)通過探針或傳感器在工件表面進(jìn)行點(diǎn)對(duì)點(diǎn)的測量,然后軟件根據(jù)不同的測量需求...微觀特征輪廓尺寸測量:光學(xué)3D輪廓儀、共焦顯微鏡與臺(tái)階儀的應(yīng)用
2024-06-05 隨著科技進(jìn)步,顯微測量儀器以滿足日益增長的微觀尺寸測量需求而不斷發(fā)展進(jìn)步。多種高精度測量儀器被用于微觀尺寸的測量,其中包括光學(xué)3D表面輪廓儀(白光干涉儀)、共聚焦顯微鏡和臺(tái)階儀。有效評(píng)估材料表面的微觀結(jié)構(gòu)和形貌,從而指導(dǎo)生產(chǎn)過程、優(yōu)化產(chǎn)品性能。光學(xué)3D表面輪廓儀(白光干涉儀)光學(xué)3D表面輪廓儀是一種利用白光干涉原理進(jìn)行非接觸式測量的高精度儀器。它通過分析反射光的干涉模式來重建表面的三維形貌。非接觸無損測量,超高縱向分辨率,測量從光滑到粗糙等各種精細(xì)器件表面。測量分析樣品表面形...WD4000系列晶圓幾何量測系統(tǒng):全面支持半導(dǎo)體制造工藝量測,保障晶圓質(zhì)量
2024-06-03 晶圓面型參數(shù)厚度、TTV、BOW、Warp、表面粗糙度、膜厚、等是芯片制造工藝必須考慮的幾何形貌參數(shù)。其中TTV、BOW、Warp三個(gè)參數(shù)反映了半導(dǎo)體晶圓的平面度和厚度均勻性,對(duì)于芯片制造過程中的多個(gè)關(guān)鍵工藝質(zhì)量有直接影響。TTV、BOW、WARP對(duì)晶圓制造工藝的影響?對(duì)化學(xué)機(jī)械拋光工藝的影響:拋光不均勻,可能會(huì)導(dǎo)致CMP過程中的不均勻拋光,從而造成表面粗糙和殘留應(yīng)力。?對(duì)薄膜沉積工藝的影響:凸凹不平的晶圓在沉積過程中會(huì)導(dǎo)致沉積薄膜厚度的不均勻,影響隨后的光刻和蝕刻過程中創(chuàng)建...關(guān)注公眾號(hào),了解最新動(dòng)態(tài)
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